WikiSysop: brisanje nepotrebnog teksta

2022-03-07T04:14:42Z

brisanje nepotrebnog teksta

←Starija inačica		Inačica od 7. ožujak 2022. u 04:14
Redak 1:		Redak 1:
	~~<!--'''Herbert Kroemer'''-->~~{{Znanstvenik		{{Znanstvenik
	\| ime = Herbert Kroemer		\| ime = Herbert Kroemer
	\| slika = Herbert Kroemer (cropped).jpg		\| slika = Herbert Kroemer (cropped).jpg

WikiSysop: Bot: Automatski unos stranica

2021-12-08T16:40:15Z

Bot: Automatski unos stranica

Nova stranica

{{Znanstvenik
| ime = Herbert Kroemer
| slika = Herbert Kroemer (cropped).jpg
| slika_širina = 200px
| naslov =
| datum_rođenja = [[26. lipnja]] [[1937.]]
| mjesto_rođenja = [[Weimar]], [[Tiringija]], [[Njemačka]]
| datum_smrti =
| mjesto_smrti =
| prebivalište =
| državljanstvo = [[Nijemci|Nijemac]], [[Amerikanci|Amerikanac]]
| narodnost =
| etnicitet =
| polje = [[Fizika]]
| radna_institucija = Sveučilište Colorado u [[Colorado|Boulderu]] Kalifornijsko sveučilište u [[Santa Barbara, Kalifornija|Santa Barbari]]
| alma_mater = Sveučilište u [[Jena|Jeni]] [[Sveučilište u Göttingenu]]
| doktorski_mentor =
| doktorski_studenti =
| poznat_po = Bipolarni [[tranzistor]] Dvostruko heterostrukturni [[laser]]
| autor_kratica_bot =
| autor_kratica_zoo =
| nagrade = [[Nobelova nagrada za fiziku]] (2000.)
| religija =
| fusnote =
}}

[[datoteka:Transistorer (croped).jpg|mini|desno|300px|Tipični bipolarni [[tranzistor]]i (od vrha prema dolje): TO-3, TO-126, TO-92 i SOT-23.]]

[[datoteka:Lasertechnik06.jpg|mini|desno|300px|[[Laser]]ska zraka korištena za [[zavarivanje]].]]

'''Herbert Kroemer''' ([[Weimar]], [[Tiringija]], 25. kolovoza 1928.), američki [[fizičar]] njemačkoga podrijetla. [[Doktor]]irao (1952.) na [[Sveučilište u Göttingenu|Sveučilištu Georga Augusta u Göttingenu]]. U SAD je otišao 1954. i radio u nekoliko velikih [[laboratorij]]a, bio profesor na Sveučilištu Colorado u Boulderu (od 1968. do 1976.) i Kalifornijskom sveučilištu u [[Santa Barbara, Kalifornija|Santa Barbari]] (od 1976.). Bavi se [[Teorijska fizika|teorijskom fizikom]] [[krutine|čvrstoga stanja]], osobito bipolarnim [[tranzistor]]ima, odnosno uvođenjem takozvanih heterostruktura u [[poluvodič]]ke elektroničke elemente, posebno poluvodičke [[laser]]e. Inicirao je modernu tehnologiju epitaksijalnoga rasta [[kristal]]a, a 1963. predložio koncept dvostruko heterostrukturnoga lasera. Napisao je sveučilišne [[udžbenik]]e: ''Toplinska fizika'' ([[Engleski jezik|eng]]. ''Thermal Physics'', 1980.), ''Kvantna mehanika za inženjering: znanost o materijalima i primijenjena fizika'' (eng. ''Quantum Mechanics for Engineering: Materials Science and Applied Physics'', 1994.). Za doprinos razvoju poluvodičke tehnologije sa [[Žores Ivanovič Alfjorov|Ž. I. Alfjorovom]] i [[Jack Kilby|J. Kilbyjem]] 2000. dobio [[Nobelova nagrada za fiziku|Nobelovu nagradu za fiziku]]. <ref> '''Kroemer, Herbert''', [https://www.enciklopedija.hr/Natuknica.aspx?ID=34137] "Hrvatska enciklopedija", Leksikografski zavod Miroslav Krleža, www.enciklopedija.hr, preuzeto 11. travnja 2020.</ref>

=== Tranzistor ===
{{Glavni|Tranzistor}}

'''Tranzistor''' ([[Engleski jezik|engl]]. ''transistor'', od ''trans[fer] [res]istor'': prijenosni otpornik) je aktivni [[poluvodič]]ki element s trima elektrodama. Razlikuju se bipolarni i unipolarni tranzistori. Promjenom ulazne [[Električna struja|struje]] bipolarnoga tranzistora ili ulaznoga [[napon]]a unipolarnoga tranzistora upravlja se strujom u izlaznom krugu. U analognim sklopovima tranzistori se primjenjuju ponajprije za pojačanje [[Električni signal|signala]], a u digitalnim sklopovima kao upravljane sklopke. Naziv tranzistor potječe iz 1947., kada su američki istraživači John Bardeen, [[Walter Houser Brattain]] i [[William Bradford Shockley]] konstruirali prvi [[germanij]]ski bipolarni tranzistor.

==== Bipolarni tranzistor ====
Bipolarni tranzistor sastoji se od triju slojeva poluvodiča, s kontaktima emitera (E), baze (B) i kolektora (C). Postoje NPN tranzistori i PNP tranzistori ([[poluvodič]]i). Kod NPN tranzistora baza P tipa poluvodiča napravljena je između emitera i kolektora koji su N tipa, dok su kod PNP tranzistora slojevi emitera, baze i kolektora suprotnoga tipa. U radu bipolarnoga tranzistora sudjeluju oba tipa nosilaca. U normalnom aktivnom području rada tranzistora emiter injektira nosioce u bazu. Manji dio nosilaca gubi se (rekombinira) u uskoj bazi, čineći malu struju baze, a veći dio prolazi kroz bazu u kolektor, uzrokujući struju kolektora. Kod NPN tranzistora osnovnu struju čine [[elektron]]i, a kod PNP tranzistora šupljine. Struje emitera, baze i kolektora međusobno su proporcionalne. U najčešće korištenom spoju zajedničkog emitera mala promjena ulazne struje baze uzrokuje veliku promjenu izlazne struje kolektora, čime se ostvaruje pojačavajuće djelovanje tranzistora u pojačanju signala. Bipolarni tranzistor upotrebljava se i kao sklopka. Ovisno o ulaznoj struji baze, tranzistor se prebacuje iz područja zapiranja u područje zasićenja i obratno; u području zapiranja radi kao isključena sklopka uz zanemarive struje, a u području zasićenja kao uključena sklopka uz mali pad napona između kolektora i emitera.

==== Unipolarni tranzistor ====
Unipolarni tranzistor označava se kraticom FET (engl. ''Field Effect Transistor'': tranzistor upravljan poljem). FET ima tri osnovne elektrode: uvod (S), upravljačku elektrodu (G) i odvod (D). [[Napon]]om priključenim između uvoda i upravljačke elektrode modulira se poluvodički otpor (nazvan kanal) između uvoda i odvoda, čime se upravlja strujom odvoda. Ovisno o tipu poluvodiča u kanalu razlikuju se ''n''-kanalni i ''p''-kanalni FET-ovi. Rad FET-ova određuje tok samo jednoga tipa nosilaca – elektrona kod ''n''-kanalnih i FET-ova šupljina kod ''p''-kanalnih. Upravljačka elektroda [[Izolator|električki je izolirana]] od kanala te se FET-ovi odlikuju velikim ulaznim otporom. Ovisno o konstrukciji rabi se više tipova FET-ova. Kod JFET-a (engl. ''Junction FET'': spojni FET) kanal i upravljačka elektroda čine zaporno polarizirani ''pn''-spoj, a kod MESFET-a (engl. ''Metal-Semiconductor FET'': metalni poluvodički FET) zaporno polarizirani ''pn''-spoj zamijenjen je zaporno polariziranim spojem [[metal]]-poluvodič. Kod MOSFET-a (engl. ''Metal-Oxide-Semiconductor FET'': metalnooksidni poluvodički FET) metalna ili polisilicijska upravljačka elektroda izolirana je od kanala tankim slojem [[silicijev dioksid|silicijeva dioksida]] (SiO2). MOSFET ima četvrtu elektrodu, podlogu (B), koja se najčešće spaja s uvodom. Posebna vrsta FET-ova je HEMT (engl. ''High Electron Mobility Transistor'': tranzistor s visokom pokretljivosti elektrona). Poput bipolarnoga tranzistora, FET-ovi se rabe kao pojačavajući elementi ili kao naponom upravljane sklopke.

Bipolarni tranzistori strujno su upravljani elementi, a FET-ovi naponski upravljivi. Bipolarni tranzistori imaju veću strminu, pa su pojačanja pojačala realiziranih s bipolarnim tranzistorima veća od pojačanja pojačala s FET-ovima. Uz to su bipolarni tranzistori brži i uz iste dimenzije daju jaču struju od FET-ova. Bipolarni se tranzistori mogu upravljati svjetlosnim snopom, što se primjenjuje u izvedbi fototranzistora ([[fotomultiplikator]]), elemenata za pretvorbu svjetlosnoga signala u optički. Glavna je prednost FET-ova velik ulazni [[Električni otpor|otpor]]. Temperaturni je koeficijent izlazne struje FET-ova negativan, a bipolarnih tranzistora pozitivan, pa su FET-ovi pogodniji tranzistori za konstrukciju [[Pojačala snage|pojačala snage]].

Osnovni poluvodički materijal za realizaciju bipolarnih tranzistora, JFET-ova i MOSFET-ova, i dalje je [[silicij]]. U nekim se izvedbama bipolarnih tranzistora i MOSFET-ova silicij kombinira s [[germanij]]em (silicijsko-germanijski tranzistori, SiGe), ponajprije radi povećanja brzine rada. Većom brzinom rada odlikuju se tranzistori koji se kao poluvodičkim materijalom koriste [[galij]]evim [[arsen]]idom (GaAs). Od galijeva arsenida izrađuju se MESFET-ovi, a od kombinacije galijeva arsenida i [[aluminij]]-galijeva arsenida (AlGaAs) proizvode se heterospojni bipolarni tranzistori (HBT-ovi – od engl. ''Heterojunction Bipolar Transistor'') i HEMT-ovi. Naziv HBT upotrebljava se i za silicijsko-germanijske bipolarne tranzistore.

Zahvaljujući dobrim svojstvima poput velike brzine rada, male potrošnje, velike pouzdanosti i male cijene, tranzistori su osnovni elementi [[elektronika|elektroničkih]] sklopova različitih funkcija poput [[pojačalo|pojačala]], stabilizatora, modulatora, generatora signala, digitalnih [[Logički sklopovi|logičkih sklopova]], [[Računalna memorija|poluvodičkih memorija]] i slično. Kao diskretne komponente u zasebnim kućištima, tranzistori se proizvode za različite namjene. Uz tranzistore opće namjene, s ujednačenim karakteristikama, izrađuju se tranzistori s optimiranim karakteristikama za pojedine primjene, na primjer visokofrekvencijski tranzistori, tranzistorske sklopke, visokonaponski tranzistori i tranzistori snage.

U većoj mjeri tranzistori se rabe kao dio [[Integrirani krug|integriranih sklopova]] u kojima se u istoj, najčešće silicijskoj, pločici integrira velik broj tranzistora i ostalih elemenata ([[dioda]], [[otpornik]]a, [[Električni kondenzator|kondenzatora]]). Analogni integrirani sklopovi poput operacijskih pojačala i stabilizatora temelje se pretežno na primjeni bipolarnih tranzistora. Ulazni tranzistori integriranih operacijskih pojačala često su JFET-ovi, koji osiguravaju veliki ulazni otpor pojačala. Većina digitalnih integriranih sklopova izvodi se u komplementarnoj MOS-tehnici (CMOS), u kojoj se upotrebljavaju komplementarni parovi ''n''-kanalnih i ''p''-kanalnih MOSFET-ova. Zahvaljujući jednostavnosti i malim dimenzijama MOSFET-ova te maloj potrošnji, u komplementarnoj MOS-tehnici realiziraju se integrirani sklopovi velike složenosti poput [[mikroprocesor]]a i memorijskih sklopova s više od 109 tranzistora. Često se u komplementarnoj MOS-tehnici u istom integriranom sklopu uz digitalne funkcije izvode i analogne. Optimalna svojstva složenih integriranih sklopova postižu se kombinacijom MOSFET-a i bipolarnih tranzistora u BiCMOS-tehnici (naziv BiCMOS upućuje na istodobno korištenje bipolarnih komplementarnih MOS-tranzistora na istoj silicijskoj pločici). Najbrži su integrirani sklopovi od galijeva arsenida temeljeni na primjeni MESFET-ova i HEMT-ova. Takvi se sklopovi najčešće rabe u visokofrekvencijskim [[Telekomunikacija|komunikacijskim]] uređajima, na primjer u [[Mobilni telefon|mobilnoj telefoniji]].

== Izvori ==
{{izvori}}

{{Nobelova nagrada za fiziku}}

{{GLAVNIRASPORED:Kroemer, Herbert}}
[[Kategorija:Njemački fizičari]]
[[Kategorija:Američki fizičari]]
[[Kategorija:Dobitnici Nobelove nagrade za fiziku]]

Herbert Kroemer - Povijest promjena

WikiSysop: brisanje nepotrebnog teksta

WikiSysop: Bot: Automatski unos stranica