Vidi kôd stranice William Bradford Shockley

<!--'''William Bradford Shockley'''-->{{Znanstvenik
| ime                     = William Bradford Shockley
| slika                   = William Shockley, Stanford University.jpg
| slika_širina            = 200px
| naslov                  = 
| datum_rođenja           = 13. veljače 1910.
| mjesto_rođenja          = [[London]], [[Ujedinjeno Kraljevstvo]]
| datum_smrti             = 12. kolovoza 1989.
| mjesto_smrti            = {{SAD grad|Stanford|Kalifornija}}, [[SAD]]
| prebivalište            = 
| državljanstvo           = [[SAD]]
| narodnost               =
| etnicitet               = 
| polje                   = [[fizika]]
| radna_institucija       = [[Bell Telephone Laboratories|Bell Labs]]<br />[[Shockley Semiconductor]]<br />[[Stanford University|Stanford]]
| alma_mater              = [[Caltech]]<br>[[MIT]]
| doktorski_mentor        = [[John C. Slater]]
| doktorski_studenti      = 
| poznat_po               = suizumitelj [[tranzistor]]a
| autor_kratica_bot       = 
| autor_kratica_zoo       = 
| nagrade                 = [[Nobelova nagrada za fiziku]] (1956.)
| religija                = [[ateist]]
| fusnote                 = 
}}

'''William Bradford Shockley''' ([[London]], [[13. veljače]] [[1910.]] - [[Stanford, Kalifornija|Stanford]], [[12. kolovoza]] [[1989.]]), [[SAD|američki]] fizičar i izumitelj. U suradnji s [[John Bardeen|Johnom Bardeenom]] i [[Walter Houser Brattain|Walterom Houserom Brattainom]], Shockley je izumio [[tranzistor]], za kojeg su sva trojica nagrađena [[Nobelova nagrada za fiziku|Nobelovom nagradom za fiziku]] [[1956.]]

Shockleyjevi pokušaji komercijalizacije novog dizajna tranzistora 1950-ih i 1960-ih dovela su do postanka [[Silicijska dolina|Silicijske doline]] u kolijevku elektroničkih inovacija. U kasnijem razdoblju života, Shockley je predavao kao profesor na [[Stanford University]]ju i postao snažan zagovaratelj [[eugenika|eugenike]].<ref name=obit>{{eng oznaka}}{{Citiranje novina |first= |last= | title=William B. Shockley, 79, Creator of Transistor and Theory on Race | url=http://www.nytimes.com/learning/general/onthisday/bday/0213.html | quote=William Bradford Shockley, who shared a Nobel Prize in physics for his role in the creation of the transistor and earned the enmity of many for his views on the genetic differences between the races, died of cancer of the prostate at his home in California on Saturday. He was 79 years old and lived on the campus of Stanford University. | work=[[New York Times]] | date=14 August 1989 | accessdate=2007-07-21}}</ref>

==Patenti==
Shockleyju je odobreno preko devedeset patenata u [[SAD]]-u. Neki značajniji su:
*  [http://v3.espacenet.com/textdoc?DB=EPODOC&IDX=US2502488  US patent 2502488]  "''Semiconductor Amplifier''".  Zahtjev podnesen [[24. rujna]] [[1948.]]; njegov prvi odobreni patent koji je uključivao tranzistore.
*  [http://v3.espacenet.com/textdoc?DB=EPODOC&IDX=US2569347  US patent 2569347]  ''"Circuit element utilizing semiconductive material"''. Njegov najraniji podneseni zahtjev za patentom ([[26. lipnja]] [[1948.]]) koji je uključivao tranzistore.
*  [http://v3.espacenet.com/textdoc?DB=EPODOC&IDX=US2655609  US patent 2655609]  "''Bistable Circuits''".  Zahtjev podnesen [[22. srpnja]] [[1952.]]; Korišten u računalima.
*  [http://v3.espacenet.com/textdoc?DB=EPODOC&IDX=US2787564  US patent 2787564]  "''Forming Semiconductive Devices by Ionic Bombardment''".  Zahtjev podnesen [[28. listopada]] [[1954.]]; Difuzivni proces za implantaciju nečistoća.
*  [http://v3.espacenet.com/textdoc?DB=EPODOC&IDX=US3031275  US patent 3031275]  "''Process for Growing Single Crystals''".  Zahtjev podnesen [[20. veljače]] [[1959.]]; Poboljšanja procesa za dobivanje osnovnih materijala.
*  [http://v3.espacenet.com/textdoc?DB=EPODOC&IDX=US3053635  US patent 3053635]  "''Method of Growing Silicon Carbide Crystals''".  Zahtjev podnesen [[26. rujna]] [[1960.]]; Istražuje ostale semikonduktore.

==Bibliografija==
====Shockleyevi predratni znanstveni članci====
*  An Electron Microscope for Filaments: Emission and Adsorption by Tungsten Single Crystals,  R. P. Johnson and W. Shockley, Phys. Rev. 49, 436 - 440 (1936).
*  Optical Absorption by the Alkali Halides,  J. C. Slater and W. Shockley, Phys. Rev. 50, 705 - 719 (1936).
*  Electronic Energy Bands in Sodium Chloride,  William Shockley,  Phys. Rev. 50, 754 - 759 (1936).
*  The Empty Lattice Test of the Cellular Method in Solids,  W. Shockley,  Phys. Rev. 52, 866 - 872 (1937).
*  On the Surface States Associated with a Periodic Potential,  William Shockley,  Phys. Rev. 56, 317 - 323 (1939).
*  The Self-Diffusion of Copper,  J. Steigman, W. Shockley and F. C. Nix, Phys. Rev. 56, 13 - 21 (1939).

====Shockleyeve knjige====
* Shockley, William – ''Electrons and holes in semiconductors, with applications to transistor electronics'', Krieger (1956) {{ISBN|0-88275-382-7}}.
* Shockley, William – ''Mechanics'' Merrill (1966).
* Shockley, William and Pearson, Roger – ''Shockley on Eugenics and Race: The Application of Science to the Solution of Human Problems'' Scott-Townsend (1992) {{ISBN|1-878465-03-1}}.

====Knjige o Shockleyu====
* Joel N. Shurkin; ''Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age''. New York: Palgrave Macmillan (2006) {{ISBN|1-4039-8815-3}}
* Michael Riordan and Lillian Hoddeson; ''Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age''. New York: Norton (1997) {{ISBN|0-393-31851-6}} pbk.

==Izvori==
{{izvori|2}}

{{Mrva-nobel-fizika}}
{{Nobelova nagrada za fiziku}}

{{GLAVNIRASPORED:Shockley, Bradford William}}
[[Kategorija:Američki fizičari]]
[[Kategorija:Dobitnici Nobelove nagrade za fiziku]]